业务领域
聚焦于高纯气体，稳定同位素，金属化合物和高纯化学品等化工新材料的供应和销售
SiH4_WECHEM_SH_MSDS.pdf 资料下载| 规格 | |
| 纯度，% | 99.9999 |
| 氧气+ 氩气 | ≤0.06 ppmv |
| 氮气 | ≤0.5 ppmv |
| 二氧化碳 | ≤0.05 ppmv |
| 氢气 | ≤20.0 ppmv |
| 一氧化碳 | ≤0.08 ppmv |
| 水分 | ≤0.5 ppmv |
| 甲烷 | ≤0.04 ppmv |
| 氦气 | ≤1.0ppmv |
| 碳氢(Sum of C2-C4) | ≤0.1 ppmv |
| 总氯硅烷 | ≤0.1 ppmv |
| 乙硅烷 | ≤0.5 ppmv |
| 二硅氧烷 | ≤0.05 ppmv |
| 电阻率，N型 ( ohm-cm) | >2500 |
| 运输 | |
| DOT 运输名称 | 硅烷 |
| DOT 分类 | 2.1 |
| DOT 标签 | 可燃气体 |
| UN NO. | UN 2203 |
| CAS No. | 7803-62-5 |
| CGA/DISS/JIS/BS341/DIN477 | 350/632/W22-14L/NO.3/NO.1 |
| 运输状态 | 压缩性气体 |
| 技术信息 | |
| 钢瓶状况 @ 21.1°C | 气体 |
| 在空气中的燃烧极限 | 1.37-97% |
| 自然温度 (°C ) | -50 |
| 分子量 (g/mol) | 32.117 |
| 比重 ( 空气 =1) | 1.11 |
| 临界温度 ( °C ) | 3.45 |
| 临界温度 ( psig ) | 687.8 |
| 应用 | |
| 主要应用于半导体、FTF-LCD 、太阳能电池片及节能玻璃之化学气相沉积（CVD )薄膜制程。在半导体上的用途是以Si 为主的成膜，而在TFT-LCD 上则用于玻璃基板上的非晶硅成膜，另用于太阳能电池片则是形成抗反射膜以提高发电效率。 | |